Short channel effects

 

Discuss Short channel effects

 

Short channel effects are a series of phenomena that take place when the channel length of the MOSFET becomes approximately equal to the space charge regions of source and drain junctions with the substrate.

They lead to a series of issues including

• polysilicon gate depletion effect ,
• threshold voltage roll-off ,
• drain-induced barrier lowering (DIBL) ,
• velocity saturation ,
• reverse leakage current rise,
• mobility reduction,
• hot carrier effects etc.

Short channel effects can be minimized by

• Using optical proximity and correction
• Thining gate oxide and using shallow source/drain junctions
• By making a novel self-aligned double-gate MOSFET.

 

শর্ট চ্যানেল ইফেক্ট হল একটি ধারাবাহিক ঘটনা যা সংঘটিত হয় যখন MOSFET এর চ্যানেলের দৈর্ঘ্য সাবস্ট্রেটের সাথে সোর্স এবং ড্রেন এর স্পেস চার্জ অঞ্চলের প্রায় সমান হয়ে যায়।

শর্ট চ্যানেল বিভিন্ন সমস্যা তৈরী করে যেমন:

• পলিসিলিকন গেট ডিপ্লেশন প্রভাব,
• থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ রোল-অফ,
• ড্রেন-আবেশিত বাধা হ্রাস (ডিআইবিএল),
• বেগ সম্পৃক্তি,
• বিপরীত লিকেজ কারেন্ট বৃদ্ধি,
• গতিশীলতা হ্রাস,
• হট ক্যারিয়ার প্রভাব ইত্যাদি

 

শর্ট চ্যানেল প্রভাব কমানো যেতে পারে-

• অপটিক্যাল প্রক্সিমিটি এবং কারেকশন ব্যবহার করে
• পাতলা গেট অক্সাইড এবং অগভীর উৎস/ড্রেন জংশন ব্যবহার করে
• স্ব-সারিবদ্ধ ডাবল-গেট MOSFET তৈরি করে।